Производитель Номер продукта:
IPD12N03LB G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD12N03LB G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
13064070
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD12N03LB G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD12N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD12N03LBG
IPD12N03LBGXT
SP000016413
IPD12N03LB G-ND
IPD12N03LBGINCT
IPD12N03LBGINDKR
IPD12N03LBGINTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN3016LK3-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11562
Номер части
DMN3016LK3-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7805ZPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
IRFS4321PBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
IRF520NLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
